51单片机学习笔记:DS18B20测温程序 -

C代码

本文引用地址: http://www.21ic.com/app/mcu/201807/781803.htm

#include"my51.h"

#include"smg.h"

#include"ds18b20.h"

voidmain()//测试,6位数码管显示温度值

{

u8i=0;

u16temp=0;

while(1)

{

temp=ds18b20_readTemperaData();

for(i=0;i<100;i++)

{

displaySMG(ds18b20_processTempData(temp));

}

}

}

C代码

#ifndef_DS18B20_H

#define_DS18B20_H

#include"my51.h"

#include"smg.h"

externu8smgWela[7];//数码管位选数据

sbitDQ=P2^2;//总线定义

boolds18b20_init();//初始化函数

u8*ds18b20_processTempData(u16temp);//将temp数据处理成数码管可显示数据

u16ds18b20_readTemperaData();//读温度

u8ds18b20_readByte();//读一个字节

voidds18b20_writeByte(u8dat);//mcu向18b20写一个字节

#endif

C代码

#include"ds18b20.h"

/******************************************************************

当主机总线t0时刻从高拉至低电平时就产生写时间隙

从to时刻开始的1us之后,15us之前将所需写的位送到总线上

DSl820在t0后的15-60us对总线采样若低电平写入的位是0,若高电平写入的位是1

连续写2个位之间的间隙应大于1us

写1,总时间大于60us,在t0开始延时1us就可以写1,15us之后ic来采样,采样时间最大45us

写0,总时间是60~120us,15~60us是ic在采样,120以外就没必要了,mcu总得释放总线吧

不管写1还是写0,大于60us的话,ic肯定已经采样完成了,那mcu就可以释放了

*******************************************************************/

voidds18b20_writeByte(u8dat)//mcu向ic写一个字节

{

u8i;

u8tmep=dat;

for(i=0;i<8;i++)

{

DQ=0;//产生读写时序的起始信号

_nop_();//要求至少1us的延时

DQ=dat&0x01;//对总线赋值,从最低位开始写起

delayXus(10);//延时74us,写0在60~120us之间释放,写1的话大于60us均可释放

DQ=1;//释放总线,为下一次mcu送数据做准备,

dat>>=1;//有效数据移动到最低位,2次写数据间隙至少需1us

}

}

/**************************************************************************

下降沿产生读时序

整个读时序必须至少有60us的持续时间,相邻两个读时序必须要有至少1us的恢复时间

DS18B20在读时序产生1us后输出数据到总线上,也有可能需要2~3个微秒,但不会更多

而要求主机释放总线和采样总线等动作要在15μs内完成,那么让mcu采样的最佳时机

是读时序产生后的5~13us之间,在15~60us这段时间是18b20的私有时间,它会在这段

时间内的任意时刻释放总线,是不稳定期,我们不要让mcu在这段时间里对总线操作

*******************************************************/

u8ds18b20_readByte()//mcu读一个字节

{

u8i,value=0;

for(i=0;i<8;i++)

{

DQ=0;//起始信号

value>>=1;//顺便延时3~4个机器周期

DQ=1;//mcu释放总线

_nop_();_nop_();_nop_();//再延时3.3us

if(DQ)

{

value|=0x80;//保存高电平数据,低电平的话不用保存,移位后默认是0

}

delayXus(8);//延时60.76us

}

returnvalue;

}

u16ds18b20_readTemperaData()//读取温度值

{

u16temp=0;

if(ds18b20_init())

{

ds18b20_writeByte(0xcc);//写指令:跳过rom检测

ds18b20_writeByte(0x44);//写指令:温度转换

//delayms(750);//转换延时需要750ms以上,我们不等它

//首次转换未完成时,得到的初始化数据是85度,处理一下就可以了

//温度转换电路是硬件独立的,不会阻塞初始化功能

if(ds18b20_init())

{

ds18b20_writeByte(0xcc);//写指令:跳过检测rom

ds18b20_writeByte(0xbe);//写指令:读取温度值

temp=ds18b20_readByte();//先读低8位数据

temp|=(u16)ds18b20_readByte()<<8;//再读高8位数据,然后合并

temp&=0x0FFF;//高4位数据反正没用上,我们用来存放错误码

}

else

{

led5=0;//调试代码

temp=0x2000;//错误码,初始化失败

}

}

else

{

led6=0;//调试代码

temp=0x1000;//错误码,初始化失败,可能器件损坏

}

returntemp;

}

boolds18b20_init()//初始化

{

u8checkState=0;

DQ=1;//总线初始状态