MSP430F5438A 内存Flash 读写操作 -

1、msp430的存储结构采用冯.依曼结构，即RAM和Flash在同一个寻址空间内统一编址，没有代码空间和数据空间之分。

本文引用地址: http://www.21ic.com/app/mcu/201806/764610.htm

2、Flash是以段为为基本结构进行存储的。总体上分三部分：

Flash主存储区：用于存储程序代码，被分成4个扇区，每个扇区分128seg, 每个seg段 大小为64 * 1024 / 128 = 512B。 Flash控制器可以以位、字节、或者字的格式写入Flash控制器。但是控制器最小的擦除单位是段。

BSL存储区：是存储器的引导加载存储器，可以用于存储引导加载程序，分4段，每段512B，每段可以单独擦除、

信息存储区：主要用于存储需要掉电后永久保存的数据，分4段，每段128B。 每段可以单独擦写。

3、Flash内存模型

4、内存组织