高抗干扰型RC复位电路 - 数模混合 -
来源： 网络用户发布，如有版权联系网管删除 2018-09-30
高抗干扰型RC 复位电路，应用于干扰较强的环境。
复位时间长短由RRES 和CRES 的值决定。
复位时间的长短，一般考虑为当系统电源稳定进入MCU 工作范围时，才可结束复位。当MCU 断电时，CRES
上的电荷应尽快完全放电。
RRES 和CRES 建议数值为100kΩ和0.1μF。
匹配电阻RN 和匹配电容CN 用于匹配内部设计，一般其数值10kΩ及0.01μF，即为RRES 和CRES 的1/10。
高抗干扰型复位电路，主要应用于强干扰环境，要求CN 电容需与MCU 的RES 和VDD 引脚的连线最短。
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