最具发展潜力的中国半导体新贵盘点 - 嵌入式处理器 -

来源：网络用户发布，如有版权联系网管删除　2018-09-21　

自国务院在2014年发表集成电路推进纲要以来，中国集成电路产业进入了飞速发展阶段。尤其是进入了最近几年的产业和技术变革期，国内诞生了一批半导体新贵，让我们来盘点一下，哪些国产企业最具发展潜力：

寒武纪科技：人工智能独角

寒武纪科技是全球智能芯片领域的先行者，宗旨是打造各类智能云服务器、智能终端以及智能机器人的核心处理器芯片。公司创始人、首席执行官陈天石教授，在处理器架构和人工智能领域深耕十余年，是国内外学术界享有盛誉的杰出青年科学家，曾获国家自然科学基金委员会“优青”、CCF-Intel青年学者奖、中国计算机学会优秀博士论文奖等荣誉。

北京中科寒武纪科技有限公司成立于2016年，是全球第一个成功流片并拥有成熟产品的智能芯片公司，拥有终端和服务器两条产品线。2016年推出的寒武纪1A处理器（Cambricon-1A）是世界首款商用深度学习专用处理器，面向智能手机、安防监控、可穿戴设备、无人机和智能驾驶等各类终端设备，在运行主流智能算法时性能功耗比全面超越CPU和GPU，与特斯拉增强型自动辅助驾驶、IBM Watson等国内外新兴信息技术的杰出代表同时入选第三届世界互联网大会评选的十五项“世界互联网领先科技成果”。

目前公司与智能产业的各大上下游企业建立了良好的合作关系。在人工智能大爆发的前夜，寒武纪科技的光荣使命是引领人类社会从信息时代迈向智能时代，做支撑智能时代的伟大芯片公司。

在华为去年发布的旗舰Kirin 970上，也搭载了寒武纪的寒武纪1A处理器，使华为旗舰手机Mate10具备了强大的本地智能处理能力。

去年十一月，寒武纪更是发布了三款全新的智能处理器IP产品：面向低功耗场景视觉应用的寒武纪1H8、拥有更广泛通用性和更高性能的寒武纪1H16，以及面向智能驾驶领域的寒武纪1M。

与寒武纪1A相比，三款新品在功耗、能效比、成本开销等方面进行了优化，性能功耗比再次实现飞跃，适用范围覆盖了图像识别、安防监控、智能驾驶、无人机、语音识别、自然语言处理等各个重点应用领域。

除了面向终端的智能处理器IP系列之外，寒武纪公司还发布了面向云端的高性能机器学习处理器芯片“寒武纪MLU100”和“寒武纪MLU200” ，这两款芯片主要服务于服务器端的智能处理需求，分别偏重于推理和训练两个用途。有别于“神经网络处理器”（NPU）的常见称呼，寒武纪科技的云端芯片产品线使用全新的命名“机器学习处理器”（MLU）。这表示寒武纪未来的芯片产品将全面支持多样化的机器学习应用，而不仅仅是常见的深度学习。

比特大陆：从挖矿ASIC到高端AI玩

以挖矿成名的比特大陆，在AI芯片方面有了远大的目标。

2013年成立于北京，目前已经有1000多名员工，超过60%是研发人员。据介绍，比特大陆拥有低功耗高性能的16nm工艺集成电路的量产经验，成功设计量产了多款ASIC定制芯片和集成系统，芯片出货量达到数十亿颗。重点面向世界的中小型企业及个人用户。这也是他们AI品牌“算丰”的资本。

2018年1月初，比特大陆带来了全球首款张量加速计算芯片BM1680,以及板卡SC1/SC1+、智能视频分析服务器SS1等重量级产品。

据比特大陆创始人詹克团介绍，这是一颗面向深度学习应用的张量计算加速处理的专用定制芯片，适用于CNN、RNN、DNN等深度神经网络的推理预测（Inference）和训练（Training）。芯片由64 NPU构成，特殊设计的NPU调度引擎（Scheduling Engine）可以提供强大的数据吞吐能力，将数据输入到神经元核心（Neuron Processor Cores）。BM1680采用改进型脉动阵列结构。单芯片能够提供2TFlops单精度加速计算能力，片上32MB SRAM拥有高带宽，在片外有DDR4内存接口，单芯片可支持高达16GB DDR内存。这就是BM1680交出的数据。

比特大陆还通过在芯片内集成高度定制的BMDNN Chip link芯片链路技术，实现在高速SerDes上提供稳定，灵活，低延迟的链路，可以使多个BM1680芯片一起工作，使其作为一个统一的系统，提供更高的处理能力。BM1680成在亮相后，迅速成为AI芯片领域的一匹黑马，这和比特大陆的背景密不可分。

英诺赛科：力争成为中国英飞

德国半导体公司英飞凌的功率器件在全球享有盛名，这让他们在“电”的世界里面表现优越。新能源汽车等应用的流行，更让它们如鱼得水。在国际厂商垄断全球大功率功率器件供应的情况下，有一家国产厂商正在蓄势待发，力争成为国产的英飞凌，那就是珠海英诺赛科。

去年11月，珠海英诺赛科8英寸硅基氮化镓电力电子器件量产线在珠海正式通线。据介绍，这是国内乃至世界首条8英寸硅基氮化镓量产线。从这个角度看，那就意味着国内企业在宽禁带半导体的竞争中走在了世界的前列。

在问到为什么领先全球打造8英寸硅基氮化镓量产线的时候，英诺赛科方面指出，这首先是为了完善国内的半导体产业链布局，将大幅提升我国宽禁带半导体芯片国际竞争力，以及国家氮化镓技术体系竞争能力；其次8英寸能够带来更大的成本优势。现在的机台和相关配套设备都是8英寸的，使用8英寸的晶圆不但能大幅降低芯片成本，同时更容易与上下游厂商，如先进制造与封装方面打造更紧密的低成本合作。

世纪金光：国产SiC器件的推动

在硅的限制逐渐凸显以后，产业界正在探求SiC这类器件的未来发展可能性。从材料上看，本身的宽禁带、高击穿电场、高热导率、电子迁移率以及抗辐射特性使得碳化硅基的SBD以及MOSFET在高频、高温、高压、高功率以及耐辐射的应用场合相比硅基器件优势巨大。

这种优势不单是体现在单个器件上，而是碳化硅基的功率器件作为电力电子的功率转换中的核心部件，工作频率、效率及耐温的提升使得功率转换（即整流或者逆变）模块中对电容电感等被动元件以及散热片的要求大大降低。总体来说，利用核心元件带动整个模块系统的优化是SiC这类器件的最重要优势，这就吸引了国内外众多半导体公司在强攻这个领域，国内也有一家SiC产业杰出代表——北京世纪金光。

在本月月初，世纪金光6英寸碳化硅器件生产线在京成功通线。据报道，这是一条具有国际领先水平的产业化生产线，该产线的建成是我国首次实现碳化硅全产业链贯通，从产业链源头实现自主可控。

长江存储：国产Flash的希

在紫光赵伟国入主XMC，成立了长江存储之后，国产3D NAND Flash有了前所未有的希望。去年12月初，紫光集团董事长赵伟国在浙江乌镇召开的第四届世界互联网大会上表示，长江存储324G 3D NAND芯片将于今年实现量产。这是国产存储器的一个里程碑式的突破。

2016年7月26日，长江存储科技有限责任公司(下称“长江存储”)正式成立，武汉新芯将成为长江存储的全资子公司，而紫光集团则是参与长江存储的二期出资。在2017年初引进紫光集团资金后，长江存储的股权结构变成紫光旗下的紫光国器持股达51%。长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局，并着力发展大规模存储器。

2017年9月28日，国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房，实现提前封顶。

此次提前封顶的项目（一期）一号生产及动力厂房建筑面积达52.4万㎡，预计将于2018年投入使用。项目（一期）达产后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

国家存储器基地项目一期规划投资240亿美元，占地面积1968亩，于2016年12月30日正式开工建设，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 生产厂房，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。