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覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS -

来源: 网络用户发布,如有版权联系网管删除 2018-11-15 

[导读]国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA 两个频段的大功率330W LDMOS,器件型号为PXAC203302FV。世强代理的该器件适用于1880-2025MHz频段,可以用于基站多载波射频功率放大器。PXAC203302FV

国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA 两个频段的大功率330W LDMOS,器件型号为PXAC203302FV。世强代理的该器件适用于1880-2025MHz频段,可以用于基站多载波射频功率放大器。PXAC203302FV采用非对称Push-Bull结构,载波功放130W,峰值功放200W,在非对称Doherty功放中可以实现更高的效率。

本文引用地址: http://www.21ic.com/app/rf/201511/647232.htm

PXAC203302FV特性:

· 宽带内部输入、输出匹配

· 适用于非对称Doherty设计:Main: 130W, Peak: 200W

· 28V,2025MHz,Doherty结构CW测试性能

· 输出P1dB=250W,效率=55%,Gain=16dB

· 可以承受10:1 VSWR 驻波比失配@28V,250W 输出

· Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)

· 内部集成ESD保护

· 低热阻

· 无铅,符合RoHS标准

表1. PXAC203302FV 射频性能

表1. PXAC203302FV 射频性能

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图1.PXAC203302FV ACPR &Eff

图2.PXAC203302FV Gain &Eff

图2.PXAC203302FV Gain &Eff

PXAC203302FV 采用H-37275-4封装,整体尺寸仅为32.6mm×16.6mm,这为缩小板面积提供了便利。得益于英飞凌先进的LDMOS制造工艺,PXAC203302FV具有良好的热性能、可靠性以及坚固耐用性。



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