三星首推基于V-NAND技术SSD产品-EMBEDCC资讯-

>　　SSD发展至今，在各类型运算产品的渗透率逐步增加，然而消费者对储存容量的需求仍是选择储存方案的最大考量之一。如何在SSD的可用储存容量有所突破，便成各大SSD厂商以及NAND记忆体制造商的最大挑战...

　　三星首推基于V-NAND技术SSD产品，高容量产品即将步入蓬勃发展阶段。

　　

　　三星第二代V-NAND采用的仍是30nm等级制程，但可堆叠32层，达到每个NAND颗粒10.75GByte的储存容量。

　　19nm平面制程通常为8GByte，V-NAND进入20nm世代制程，并增加堆叠数量后，单一裸晶圆容量将可上看128GByte，SSD的容量将快速起飞。

　　三星的目标在2017年达到单一NAND裸晶圆容量为256GByte。850 Pro目前仍只供应OEM市场，2014下半年才会正式进入零售消费市场。

 

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