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HOLTEK新推出HT45F4N、HT45FH4N Power Bank Flash MCU -

来源: 网络用户发布,如有版权联系网管删除 2018-08-28 

[导读]21ic讯 Holtek针对Power Bank领域,推出了1.5代Power Bank Flash版本的MCU HT45F4N、HT45FH4N,与第1代的Power Bank MCU相比,增加了更多的资源及更多的脚位,更适合Power Bank带LED数码管及LCD屏显示等应用。HT45

21ic讯 Holtek针对Power Bank领域,推出了1.5代Power Bank Flash版本的MCU HT45F4N、HT45FH4N,与第1代的Power Bank MCU相比,增加了更多的资源及更多的脚位,更适合Power Bank带LED数码管及LCD屏显示等应用。

本文引用地址: http://www.21ic.com/np/mcu/201402/207044.htm

HOLTEK新推出HT45F4N、HT45FH4N Power Bank Flash MCU

HT45F4N、HT45FH4N具备4K x 16 Flash Program ROM、192 Byte Data RAM、64 Byte Data EEPROM、工作电压2.55V ~ 5.50V、系统频率可选最佳为30MHz/4,内建精准RC Oscillator (HIRC 30MHz),内建14个通道12-bit ADC、3个10-bit PTM,其中2个用于产生互补式PWM输出,可用于2路独立的DC to DC升压及降压等应用、1个16-bit CTM Timer、1个过电压及欠压保护电路、2个过电流保护电路、LVD与LVR用于侦测系统电压,若系统电压低于LVR值时系统将产生重置,以避免系统工作电压低于操作电压可能造成的不稳定状态。

HT45F4N、HT45FH4N针对Power Bank应用,可完整支持电池充电及放电功能。互补式PWM输出则是用来直推外部PMOS及NMOS,提供电池在充放电的过程中,可以做到同步整流的功能,使功耗的损失降至最低,因而提升Power Bank的效率。

HT45FH4N额外提供内部5V LDO输出,且其互补式PWM输出则可透过Level Shift转换输出到高压,用于驱动外部PMOS及NMOS,降低PMOS及NMOS的导通阻抗。

HT45F4N、HT45FH4N提供28SSOP封装,对于Power Bank应用非常适合,且本产品如同Holtek其他8-bit MCU,具有符合工业规格与高抗噪声特性。



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