东芝为ARM内核微控制器开发高速NANO FLASH(TM)-100闪存 -

21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，该公司已经基于其最初的NANO FLASH™，为嵌入式微控制器开发出访问速度更快的NANO FLASH™-100闪存。

本文引用地址: http://www.21ic.com/np/mcu/201302/158059.htm

开发背景：

嵌入式微控制器的丰富功能和高速性能需要更多访问速度更快的闪存。在意识到这一需求后，东芝开发了融合两大特性，即基于NAND闪存单元设备技术的高速编程和NOR闪存电路技术的NANO FLASH™。随后，东芝将这一高端性能带给其独创的微控制器和ARM内核微控制器。如今，随着越来越多的用户使用ARM内核微处理器，市场上开始需求速度更快的大内存容量。NANO FLASH™-100便非常适合该市场。

特性：

· 随机访问频率为业界最高的100MHz(见注1)时，新开发的NANO FLASH™-100的等待周期为零。这就让ARM微处理器的内核能够充分利用需要高速、大容量内存应用的出色性能和代码密度。

· 通过利用NANO FLASH™微控制器的超低功耗技术，就可开发出多种高速、低功耗应用。

继其首款NANO FLASH™-100产品TMPM440F10XBG之后，东芝将推出更多基于ARM内核的产品，并将一如既往地为嵌入式微控制器积极开发闪存技术。

注1：根据东芝对嵌入式微控制器闪存所做的研究(截至2013年1月)

注2：ARM和Cortex是ARM Limited在欧盟和其他国家的商标或注册商标。