英特尔10纳米技术细节大揭秘

最近有位半导体产业分析师针对英特尔 (Intel) 将在下两个制程世代使用的技术，提出了大胆且详细的预测；如果他的预言成真，意味着芯片龙头英特尔又将大幅超前其他半导体同业。

这位分析师 DavidKanter 在他自己的网站发表一篇分析文章，指出英特尔将会在 10 纳米节点采用量子阱 (quantumwell)FET ；这种新的晶体管架构将会采用两种新材料──以砷化铟镓 (indiumgalliumarsenide ， InGaAs) 制作 n 型晶体管，以应变锗 (strainedgermanium) 制作 p 型晶体管。

若预测正确，英特尔最快在 2016 年可开始生产 10 纳米制程晶体管，且功耗能比其他制程技术低 200 毫伏 (millivolts) ； Kanter 预期，其他半导体制造业者在 7 纳米节点之前难以追上英特尔的技术，差距约是两年。 Kanter 指出，英特尔可能还要花一年多的时间才会公布其 10 纳米制程计划，而他自认其预测有八九成的准确度。

英特尔曾在 2009 年的 IEDM 会议论文透露其正在开发的 InGaAs 制程技术

Kanter 的分析文章是根据对英特尔在年度 IEEE 国际电子组件会议 (IEDM) 发表的数十篇篇论文研究所得，此外还有英特尔与芯片制造相关的专利；他在接受 EETimes 美国版访问时表示：“我所看到的一切都朝这个方向发展；问题应该不在于英特尔会不会制作量子阱 FET ，而是他们会在 10 纳米或 7 纳米节点开始进行。”

“在晶体管通道采用复合半导体材料并非只有英特尔一家在研究，但显然到目前为止没有人做到像英特尔所发表的这么多；” Kanter 指出：“英特尔在锗材料方面的论文与专利很少，但该技术较广为人知。”此外他预期英特尔会采用纯锗，不过也可能会透过先采用硅锗 (silicongermanium) 来达到该目标。

Kanter 并表示他在发表分析文章之前，曾提供内容给英特尔看；不过该公司婉拒发表任何相关评论。