新技术新产品库:首个可直接兼容硅芯片的锗锡半导体激光器

来自尤里希旗下“皮特格林贝格研究所” (PGI-9) 和“保罗谢勒研究所” (Paul Scherrer Institute) 的科学家们已经用锗和锡制成了实验用的附件，并且在硅晶片上进行了测试。

保罗谢勒研究所在测定之后发现，锗锡化合物可以同时产生和放大激光信号，而且锡元素对这种新设备的光学性能显得非常重要。

PGI-9 博士生 Stephen Wirths 补充道：“高含锡量决定了它的光学性能，这是我们首次在晶格中掺入了超过 10% 的锡而没有损失其光学品质”。

目前电子系统中所使用的半导体激光器，主要由元素周期表中的第三族或第五族元素所组成，比如砷化镓。

也正因为如此，由这些材料制成的激光器无法与其它硅基半导体装置直接兼容 ( 不仅困难，而且费力 ) 。此外，由于其连接材料拥有不同的系数，装置的使用寿命也会有所降低。

PGI-9 博士 Dan Buca 表示：“这款激光装置可以在有史以来的最低温下工作 ( 零下 183 摄氏度 / 零下 297.4 华氏度 ) ”。相信这款测试系统在优化之后，还会带来更加优异的性能表现。

此外，同步电路的时钟信号可使用高达 30% 的能量，这样可以在光传输过程中节省大量能量。