硅衬底GaN有望成为降成本重要途径之一 -

近日，韩国三星尖端技术研究所(SAIT) 已经选择Veeco的TurboDisc ?K465i?MOCVD作为其硅基氮化镓功率器件研究的设备。

本文引用地址: http://www.21ic.com/news/mcu/548599.htm

对此，Veeco的化合物半导体业务执行副总裁William J.Miller表示：“Veeco被选中作为三星SAIT研究硅氮化镓，并商品化这项技术用于大批量制造氮化镓功率器件，我们认为是巨大的战略研发上的胜利。”

硅基氮化镓成为下一阶段降低LED成本的利器

3月25日，台积电旗下创投VTAF公司投资的美国Bridgelux(普瑞光电)正式对外宣布，该公司运用「氮化镓上硅」(GaN-On-Silicon)的LED技术，已达成每瓦135流明之效能。这代表Bridgelux在硅半导体基板LED技术方面，已成为业界第1家达到商品化等级效能的厂商。

根据Bridgelux研究，氮化镓上硅LED的效能，足以媲美12至24个月前推出的顶级蓝宝石基板LED。预估未来2至3年内，应用于商业市场的氮化镓上硅LED产品，就能上市销售。

同时Bridgelux还认为，若能在直径更大、成本较低廉的硅晶圆上生成氮化镓，并采用与现代半导体生产线相容的制程，则LED磊晶产品之成本，可望将较现有制程有效降低75%。