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GlobalFoundries成功流片基于ARM Cortex-A9双核心处理器装置 -

来源: 网络用户发布,如有版权联系网管删除 2018-08-25 

[导读]GlobalFoundries今天在自家举办的全球技术大会上宣布,已经成功流片了基于ARM Cortex-A9双核心处理器的技术质量检验装置(TQV),而且第一家使用了28nm HP高性能工艺、HKMG(高K金属栅极)技术。GF透露,这次TQV是今

GlobalFoundries今天在自家举办的全球技术大会上宣布,已经成功流片了基于ARM Cortex-A9双核心处理器的技术质量检验装置(TQV),而且第一家使用了28nm HP高性能工艺、HKMG(高K金属栅极)技术。

本文引用地址: http://www.21ic.com/news/mcu/269204.htm

GF透露,这次TQV是今年八月份在位于德国德累斯顿的Fab 1晶圆厂内完成的,使用了一整套优化的ARM Cortex-A9物理IP,能从每一个方面模拟真正的SoC产品,从而实现最大程度的频率分析、缩短产品设计周期的时间,还有完整的可测性设计(DFT)。

据透露,新处理器的工作频率在2.0-2.5GHz之间,比上代40nm工艺版本快了500MHz左右,性能也有明显提升。

GF、ARM估计,相比于40nm工艺,新的28nm工艺制造平台能带来40%的计算性能提升、30%的功耗下降、100%的待机电池续航能力提升。

这也是GF、ARM去年十月宣布的战略合作的一部分。GF预计今年年底拿出新处理器的实际样品。



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