高通公布骁龙835处理器支持QC4.0快充

TechWeb报道 一直以来手机行业的高端处理器都是被高通和三星占据着，现在他们联合开发了高通骁龙系列下一代旗舰产品骁龙835处理器。根据展示会上的介绍，它是第一款利用三星10nm技术制造的手机芯片，明年上半年将会搭载到成品手机上面。

官方介绍，该芯片面积比之前使用14nm制造工艺的高通骁龙820和821减少30%，执行速度提升27%，功耗下降40%。该芯片已经开始批量生产，最早的手机有可能在明年MWC大会登场。

该处理器支持QC4、0快速充电技术，使用高通智能协商最佳电压（INOV）算法，该算法管理设备通过充电电缆请求的电量。支持热管理功能，支持三级电流和四级电压保护，以防止过热。比高通上一代快速充电技术缩短30%的充电时间，电池效率提高30%。

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