高通宣布骁龙835处理器：采用三星10nm工艺，支持QC4.0快充

11月17日消息，高通刚刚公布了下一代骁龙处理器骁龙835，高通骁龙835芯片将在2017年初发布，因此支持最新的Quick Charge 4.0快速充电技术，基于三星10nm制造工艺打造。高通骁龙835处理器将取代骁龙821/820，成为高通公司顶级移动处理器。

不过目前高通并未公布骁龙835的更多信息，但表示10nm工艺将会带来更好的性能领先，提升功率效率，作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。

援引消息，三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，在高通骁龙835上具体数值还需要后续才能知晓。但高通骁龙835芯片面积将变得更小是毋庸置疑的。

三星Galaxy S8有望成为首款搭载高通骁龙835处理器的智能手机设备，LG和HTC也将推出搭载骁龙835的智能手机。

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