stm32 flash学习总结 -

（1）Flash的简介

本文引用地址: http://www.21ic.com/app/mcu/201809/781450.htm

不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到了1024K 字节。

STM32F103ZET6 的 FLASH 容量为 512K 字节，属于大容量产品。

STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。

尤其是闪存存储器接口寄存器有以下特性：闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由内部产生。

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

（2）STM32闪存编程过程如下图

从上图可以得到闪存的编程顺序如下：
? 检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
? 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的编程操作
? 设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’
? 在指定的地址写入要编程的半字
? 等待 BSY 位变为’0’
? 读出写入的地址并验证数据
前面提到，我们在 STM32 的 FLASH 编程的时候，要先判断缩写地址是否被擦除了，所以，
我们有必要再介绍一下 STM32 的闪存擦除，STM32 的闪存擦除分为两种：页擦除和整片擦除。

（3）STM32页擦除如下图

从上图可以看出，STM32 的页擦除顺序为：

? 检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
? 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的闪存操作
? 设置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位为’1’
? 用 FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页
? 设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为’1’
? 等待 BSY 位变为’0’
? 读出被擦除的页并做验证

（4）下面就是操作Flash的一个重要的函数了：

#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024
#else
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
#endif
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos;
u16 secoff;
u16 secremain;
u16 i;
u32 offaddr;
if(WriteAddr=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;
FLASH_Unlock();
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);
for(i=0;i{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;
}
if(i{
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);
for(i=0;i{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);
if(NumToWrite==secremain)break;
else//D′è??′?áê?
{
secpos++;
secoff=0;
pBuffer+=secremain;
WriteAddr+=secremain;
NumToWrite-=secremain;
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;
else secremain=NumToWrite;
}
};
FLASH_Lock();
}
#endif