单片机控制的动态数据缓存器的DRAM读／写控制过程 -
来源： 网络用户发布，如有版权联系网管删除 2018-09-06
[导读]
读取一字节数据的程序段如下： 读取数据时，T1先置1，其后的RD信号将行地址送到地址线AB上，并使D。触发器锁存Tl，Q,变成低电平，使RAS有效（低电平），实现行选通；再置TO为l，其后的RD信号
读取一字节数据的程序段如下：
本文引用地址: http://www.21ic.com/app/mcu/201805/760884.htm
读取数据时，T1先置1，其后的RD信号将行地址送到地址线AB上，并使D。触发器锁存Tl，Q,变成低电平，使RAS有效（低电平），实现行选通；再置TO为l，其后的RD信号将列地址送到AB上，并产生CAS信号，使欲读出单元的数据出现在DB上。RD失效的上升沿使CAS失效，同时，D2触发器置1，使D1清零，RAS也失效变为高电平。经过RC延迟放电，使欲读出单元的数据出现在DB上，D2重新清零，Q2又为高电平，恢复初始状态D1、D2均为零。
程序最后送T0、T1低电平，封锁RAS和CAS，防止系统中其他读／写器动作使DRAM产生误动作。
写数据过程与此类似。
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