IC尺寸微缩仍面临挑战。

本文引用地址: http://power.21ic.com//dc/infor/200906/22505.html

为了使芯片微缩，总是利用光刻技术来推动。然而近期Sematech在一次演讲中列举了可维持摩尔定律的其他一些技术。

1. 零低k界面：在目前Intel的45nm设计中，采用硅衬底和高k金属栅。在硅与高k材料之间有低k材料。对于零低k界面，免去了低k材料，提高驱动电流并减少漏电。这是16nm节点的一种选择。

2. 单金属栅堆叠：与传统晶体管相比，高k金属栅利用了单金属栅堆叠结构，这改善了晶体管性能，且降低了器件功耗。

3. III-V族材料上栅堆叠：Intel、Sematech等已在讨论在未来设计中采用InGaAs/高k界面。这种方法也能改善性能降低功耗。

4. 量子阱MOSFET：在硅上采用硅锗结构是改善性能的一种方法。Intel近期展示了一款高速低功耗量子阱场效应晶体管。这种P沟道结构将基于40nm InSb材料。

5. 基于通孔硅技术的3D芯片：Sematech近期透露了建立基于通孔硅技术的300mm 3D芯片研发计划。