20V P沟道器件具有低导通电阻和超薄PowerPAK® 1212-8S封装

本文引用地址: http://power.21ic.com//dc/infor/201310/33988.html

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。

《今日电子》的编辑根据创新的设计、在技术或应用方面取得显著进步，以及性价比的卓越表现，从前一年推出的数百款产品中进行评选。Vishay的Si7655DN MOSFET因其创新，以及在适配器、电池、负载开关和电源管理应用中取得的成功而入选。

《今日电子》Top-10电源产品奖在9月12日北京国宾酒店举行的电源技术研讨会上颁发。Vishay北京办事处的销售客户经理Alice Wei代表Vishay领奖。

普通中文版的获奖产品名单见下面的网址：

http://www.21ic.com/wz/CRXDQWHFA/20130901/20130901.htm

Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封装版本和Vishay Siliconix业内领先P沟道Gen III技术，最大导通电阻为3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5 V)。这些性能规格比最接近的-20V器件高17%或更多。

Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在电路中实现更低的压降，更有效地使用电能，让电池运行的时间更长。器件的PowerPAK 1212-8S封装标称高度只有0.75mm，比PowerPAK 1212封装薄28%，可节省宝贵的电路板空间，同时保持相同的PCB布版样式。