2011年12月，广州成启半导体有限公司宣布，HOMSEMI中低压MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工艺晶圆。成启半导体表示，这次产品升级已经过一年准备和试产，将使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整机效率，同时获得更好的成本控制能力，这意味着，HOMSEMI成为国内一线分立功率半导体品牌。
此外，HOMSEMI产品运营总监黎总表示，进一步0.13um工艺已经排入日程，预计在2012年第4季度产出产品。

本文引用地址: http://power.21ic.com//dc/infor/201203/22634.html

背景资料：
一、8英寸，0.18μm，Trench  POWER  MOSFET工艺介绍。
由于功率半导体器件的发展，许多电子设备的体积变得越来越小而效率却相应提高。作为功率半导体器件主体之一的功率MOSFET则被广泛应用于通讯、计算机、汽车和消费电子领域，并且是分立器件和智能功率集成电路(SPIC）中的重要组成部分。
晶圆：即单晶硅圆片，由普通的硅沙拉制提炼而成，是最常见的半导体材料。按其直径分为4英寸、6英寸和8英寸，近年发展了16英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可安排的集成电路就越多，成本可降低，但要求的材料技术和生产技术更高。
0.18μm是指里面的基本器件，如FET的栅线条的宽度，大致等于导电沟道长度。它代表了光刻工艺所能实现的最小尺寸，整个器件没有比它更小的尺寸，又叫Feature Size。 FS不同，则其他的淀积、刻蚀等工艺水平也不同。所以相应的长度值代表着工艺平台，也就是用这个数值表示一种工艺的水平。
Trench MOSFET就是在半导体表面挖出沟槽，使得沟槽的深度达到漂移区，导电沟道是沟槽的侧面如图1（b）所示。
 
                (a)Plannar MOSFET             (b)Trench MOSFET
                 图1 Plannar MOSFET与Trench MOSFET的基本结构
虽然国内分立器件生产制造企业很多，主流都是使用6英寸，0.35μm ，Plannar（平面）工艺生产晶圆。

二、性能特点。
1、提高沟道密度，降低导通电阻和总的栅电荷密度
功率器件在高频下工作总的功耗主要有导通损耗、栅驱动损耗和开关损耗三部分组成。其中导通损耗与导通电阻呈正比；栅驱动损耗，与总的栅电荷呈正比；开关损耗随上升和下降时间的增大而增大，且三者均随芯片面积的增大而增大，可用如下的优值因子来衡量
 
可见导通电阻和总的栅电荷密度对功耗起着决定性的作用。对于Plannar MOSFET，导通电阻主要由沟道电阻，漂移区电阻和寄生JFET电阻决定，且其寄生JFET电阻随沟道宽度的减小而指数上升。而Trench MOSFET由于垂直沟道结构的采用，其寄生JFET效应已消失，且与Plannar MOSFET相比可进一步降低单元尺寸，提高沟道密度，因此可大大降低导通电阻。