21ic讯 日前，德州仪器 (TI) 宣布 PowerStackTM 封装技术产品出货量已突破 3000 万套，该技术可为电源管理器件显著提高性能，降低功耗，并改进芯片密度。

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TI 模拟封装部 Matt Romig 指出：“为实现宽带移动视频与 4G 通信等更多内容，计算应用的性能需求不断提升。与此同时，也出现了电信与计算设备的小型化需求。通过从 2D 到 3D 集成的真正革命，PowerStack 可帮助 TI 客户充分满足这些需求。”

PowerStack 技术的优势是通过创新型封装方法实现的，即在接地引脚框架上堆栈 TI NexFETTM 功率 MOSFET，并采用两个铜弹片连接输入输出电压引脚。这种堆栈与弹片焊接的独特组合可实现更高集成的无引线四方扁平封装 (QFN) 解决方案。

通过 PowerStack 技术堆栈 MOSFET，最明显的优势是可使封装尺寸比并排排列 MOSFET 的其它解决方案锐减达 50%。除降低板级空间之外，PowerStack 封装技术还可为电源管理器件提供优异的热性能、更高的电流性能与效率。

TechSearch 国际创始人兼总裁 Jan Vardaman 表示：“PowerStack 是我在电源市场所见过的首项具有如此强大功能的封装技术，3D 封装解决方案的势头在不断加强，该技术将是解决各种当前及新一代设计挑战的理想选择。”

PowerStack 现已在 TI Clark 厂投入量产。

TI 菲律宾公司总经理 Bing Viera 指出：“Clark 是我们位于菲律宾的、业界一流的最新封测厂。今年，我们将进一步提升 Clark 高级封装技术的产能，到第三季度该厂初期产能将提高近 1 倍。”

通过领先封装技术推进模拟发展
PowerStack 封装技术再次凸显了 TI 在封装领域的创新技术，其可为在更低成本下要求更高功率密度、可靠性以及性能的应用实现更进一步的发展。TI 拥有数十年的丰富封装专业技术经验，可为成千上万种丰富产品、封装配置与技术提供支持，从而可为模拟市场提供最丰富的封装组合。

关于 TI NexFET 功率 MOSFET 技术
TI NexFET 功率 MOSFET 技术可为高功率计算、网络、服务器系统以及电源应用提高能源效率。此外，这些高频率高效率模拟功率 MOSFET 还可为系统设计人员提供当前最高级的 DC/DC 电源转换解决方案。