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解构英特尔FinFET:fin更少、更像三角形
时间:2012-05-22 来源:
逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特尔(Intel) 22nm Ivy Bridge处理器的剖面图,从中可见英特尔称为叁闸极(tri-gate)电晶体的FinFET元件,从剖面图看来,它实际上是几乎呈现三角形的梯形。
本文引用地址: http://power.21ic.com//dc/infor/201205/22662.html
这颗被解剖的IC是用于伺服器的64位元四核心 Xeon E3-1230 处理器,Chipworks是在香港取得该元件。
三角形部分与英特尔曾经在2011年展示过的理想化矩形截面明显不同。然而,目前尚不清楚这些fin的非垂直侧边是否为製造过程自然产生且无关紧要;亦或是英特尔故意如此设计,而且将对电子迁移率或良率造成关键影响。
从苏格兰格拉斯哥大学独立而出的Gold Standard Simulations Ltd. (GSS) CEO Ase Asenov在网路上回应道:业界对于这种形成「块状」(bulk) FinFET的梯形或是近似叁角形结构的优缺点有诸多揣测。GSS已经使用其名为Garand的3D TCAD模拟器对FinFET进行了模拟分析。
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