DDR布局方法对比 - FPGA/ASIC技术 -

　　点对点的拓扑结构布局： （处理器或者FPGA外接一颗芯片）

　　内存芯片尽量靠近控制器

　　串联匹配电阻靠近控制器放置

　　并联匹配电阻靠近内存芯片

　　一驱多的拓扑结构布局：

　　（1） 内存芯片贴在同一面。建议fly-by拓扑，并联匹配电阻放置在最后一个内存芯片的末端。

　　

　　（2）两个内存芯片完全对贴 。两片内存芯片信号质量一样且信号质量最好，最节省空间，这种完全对贴的设计在DIMM上已经很成熟的应用。 在T点采用VTT上拉。

　　但是两个内存芯片完全对贴，两个DDR的热量在同一个点进行叠加。热量比单芯片高一些。如果环境温度比较恶劣，可能会超过芯片规格。

　　

　　（3）错位的正反贴布局方式。能节省一部分空间，走线方法简单，可测试性较好。末端匹配电阻需要放置在最后一个内存芯片后边。从空间节约效果上来说不如“正反对贴”

　　

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