飞思卡尔推出首款基站专用氮化镓射频功率晶体管-EMBEDCC资讯-

来源：网络用户发布，如有版权联系网管删除　2018-10-12　

>　　飞思卡尔半导体公司 [NYSE: FSL] 日前推出了其首款蜂窝移动通信基站专用的氮化镓(GaN)射频功率晶体管。新产品A2G22S160-01S在无线基础设施应用所使用的30W和40W放大器中表现优异。这款产品是面向蜂窝移动通信市场的Airfast系列GaN晶体管的第一款产品。

　　作为射频功率晶体管市场的领跑者，飞思卡尔推出的GaN射频解决方案使客户在无线基础设施市场中有了更多世界级的产品选择。就在新产品发布的几个月前，飞思卡尔才推出了MMRF5014H，这是它第一款面向军事及工业应用的GaN 射频功率晶体管。目前，这款产品在热感与宽带射频性能表现方面仍是100W级别GaN晶体管中的佼佼者。

　　飞思卡尔高级副总裁兼射频业务总经理Paul Hart表示： “飞思卡尔正将GaN应用从小众市场引领向如蜂窝移动通信基础设施这样的主流应用市场。是时候向我们庞大的电信客户群推荐我们的GaN解决方案了。除了A2G22S160-01S的超级性能外，我们的蜂窝移动通信客户还将拥有飞思卡尔的高产能和全球性的售后服务做保障。”