英飞凌新一代CoolMOS 可减少50%的开关损耗-EMBEDCC资讯-

来源：网络用户发布，如有版权联系网管删除　2018-10-12　

>　　2015年5月22日，德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新的CoolMOS? C7系列超结(SJ)MOSFET家族。该600 V系列相比CoolMOS? CP可减少50%的开关损耗，在PFC、TTF和其他硬切换拓扑结构中可实现和GaN类似的性能水平。CoolMOS C7在业内率先实现1 Ω/mm2的面比电阻(RDS(ON)*A)，它进一步扩展了英飞凌的最低每封装RDS(ON)产品组合，可支持客户进一步提高功率密度。全新CoolMOS系列具备超低开关损耗，适合大功率开关电源(SMPS)应用——比如服务器、电信、太阳能以及需要提高效率、降低组件成本(BoM)和总拥有成本(TCO)的工业应用。

　　CoolMOS C7可降低超大型数据中心和电信基站等要求提高效率和降低TCO的应用的开关损耗。CoolMOS C7可使PFC和LLC拓扑的效率分别提高0.3%-0.7%和0.1%，这有利于显著降低总拥有成本。对于2.5 kW的服务器PSU，使用C7 600 V MOSFET可将因PSU能量损失导致的能源成本降低10%左右。

　　在企业服务器等关注组件和其他成本的应用中，CoolMOS C7 600 V器件可帮助降低磁性元件成本。由于栅极电荷和输出电容显著降低，C7的开关频率是CoolMOS? CP的两倍，但效率仅稍逊于CoolMOS? CP。这有助于最大限度缩小磁性元件尺寸，降低组件总成本。比如，开关频率从65 kHz增大一倍至130 kHz时，磁性元件成本可降低30%之多。