Vishay新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET提性能降功耗-EMBEDCC资
来源： 网络用户发布，如有版权联系网管删除 2018-10-12
> 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻，在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性，并且节能。
今天推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造，充实了Vishay现有的标准E系列器件，使公司有更多的器件可用于类似移相全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。
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