飞思卡尔推出突破性的超宽带RF功率GaN晶体管-EMBEDCC资讯-

>　　飞思卡尔半导体[NYSE:FSL]日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品，飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力，并在提供业界最佳性能的GaN器件方面，已经取得了重大突破。

　　飞思卡尔高级副总裁兼射频业务部总经理Paul Hart表示：“借助这两款业界领先带宽的产品，我们的客户采用一个射频器件替换两个甚至三个独立的RF PA器件，大大降低了系统成本。 此外，这些器件具有超低的热阻，可使客户降低冷却系统的成本，而且它们能够以全连续波(CW)额定功率运行，满足更高温度的应用情况。”

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