安森美推出全新中压N沟道MOSFET阵容-EMBEDCC资讯-

>　　推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列，进一步扩大其宽广的产品阵容。

　　这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS(on) 值，从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。它们还有低至2164皮法(pF)的门极电容(Ciss)，确保保持尽可能低的驱动损耗。

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