Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器在小尺寸逆变器中有效节省空间-EMBE
来源： 网络用户发布，如有版权联系网管删除 2018-10-12
> Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的SMD封装的超薄2.5A IGBT和MOSFET驱动器---VOL3120。Vishay Semiconductors 这款器件占位小，高度为2.5mm，最小间隙和外部爬电距离为8mm。除了尺寸小的特点，器件还具有高隔离电压，VIORM和VIOTM分别为1050V和8000V，非常适合在更高工作电压或污染程度更严重条件下运转，例如电机驱动、可替代能源、焊接设备和其他高工作电压的应用。
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