安森美半导体推出全系列双倍数据速率(DDR)终端稳压器-EMBEDCC资

来源：网络用户发布，如有版权联系网管删除　2018-10-12　

>　　安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ON)，推出一系列新的高性能器件进一步加强了低压降(LDO)线性稳压器产品阵容，以支持双倍数据速率(DDR)内存。NCP51200、 NCP51400、 NCP51510和NCP51199采用内置功率MOSFET，针对在电脑、数据网络、工业和手持消费市场等广泛应用中的特定应用如SDRAM DIMM内存、伺服器、路由器、智能手机、平板电脑平台、机顶盒、智能电视、打印机和个人电脑/笔记本电脑主机板。还提供经AEC-Q100认证的版本用于汽车应用如嵌入式GPS定位系统、信息娱乐和无线网络及蓝牙通信。

　　这些高性能LDO支持DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4 标准，终端电压(VTT)低至500毫伏(mV)。当与DDR4和LPDDR4使用时，每一种的主动源电流和汲电流能力达2安培(A)。此外，当使用DDR4 和LPDDR4时，NCP51145可支持高达1.2 A。NCP/NCV51199可为DDR2和DDR3分别提供2 A和1.5 A源汲电流，而NCP51200和NCP51510指定运行于3 A峰值电流并支持远程感测。这些高度集成的DDR终端LDO的优势还包括软启动、片上热关断和(对一些器件) 欠压锁定机制。每一款器件都有高速差分放大器，对线性电压和负载电流瞬变提供超快响应。所有这些器件还都兼容DDR1 和DDR2 ，易于升级到更新的DDR内存。工作温度范围指定为-40 °C 至 +125 °C，可扩展至+150 °C用于汽车版本。