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三星明年底可量产10纳米芯片 性能倍增功耗低-EMBEDCC资讯-

来源: 网络用户发布,如有版权联系网管删除 2018-10-12 

>  最近,三星宣布该公司将于2016年年底采用10纳米制造工艺大规模生产芯片,这个新技术在处理能力、芯片尺寸和功耗方面有着显著的优势。

  全新的10纳米芯片将会继续使用的鳍式场效晶体管(FinFET)技术,整体构造与全球首个使用14纳米工艺制造的Exynos 7420类似。



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