英飞凌推出 700 V CoolMOSTM P7 系列适用于準谐振反驰式拓朴-EMB

　　英飞凌科技股份有限公司 针对现今及未来的準谐振反驰式拓朴趋势，推出全新 700 V CoolMOSTM P7 系列。相较于目前所用的超接面技术，全新 MOSFET 的效能更为出色，适用于软切换拓墣应用，包括智慧型手机、平板电脑充电器，还有笔记型电脑电源供应器。此外，新款 CoolMOS 也支援电视电源供应器、照明、音讯与辅助电源的快速切换及高功率密度设计要求。新产品系列优化了外型尺寸，可达成极轻薄设计的目标。

　　在切换损耗(Eoss)的表现方面，相较于市面上其他品牌产品，新款 700 V CoolMOS P7 技术可将切换损耗减改善幅度由27% 提昇至 50%。应用于返驰式充电器时，这项技术可提升全机效率多达 3.9%，此外，装置温度最多可降低 16 K。与先前的 650 V C6 技术相比，平均效率提升 2.4%，装置温度下降 12 K。

　　新款产品整合稽纳二极体，确保其具备更高的 ESD 耐受性，最高达到 HBM Class 2 等级。如此一来，可改善组装产能，进而减少生产相关故障并省下製造成本，最终提升客户获利能力。此外，700 V CoolMOS P7 的 RDS(on)*Qg 与 RDS(on)*EOSS 极低，因此耗损相对较低。相较于 C6 技术和其他竞争对手的产品，最新系列还具备额外 50 V 的阻断电压。

　　考量到使用便利性，该项技术在设计上採用 3 V 的 VGSth，误差仅 ±0.5 V，因此能轻易将全新 P7 系列整合到设计中，并可採用更低的闸极源极电压，进而更容易驱动且能减少閒置损耗。尤其对于注重价格的市场来说，700 V CoolMOS P7 拥有吸引人的性价比，能帮助客户取得更多的竞争优势。

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