1个原子位置记录1bit 终极超高密度存储器 -EMBEDCC资讯-

　　荷兰代尔夫特理工大学(Delft Unviersity of Technology)宣布，开发出了向1个原子分配1bit的存储芯片。

　　试制的存储器尺寸为96nm×126nm。记录容量仅为1KB(8000bit)，但记录密度据称达到500Tbit/平方英寸，为在售的已有HDD的约500倍。

　　像算盘一样记录信息

　　该存储器通过在铜(Cu)基板上控制氯(Cl)原子的位置来记录信息。具体处理时，Cu基板上的Cl原子可像算盘珠一样根据与空隙的位置关系来安排两个位置。此次采取向这两个位置中的一个分配“1”、向另一个分配“0”的设计。在控制Cl原子的位置时使用扫描隧道显微镜(STM)。

　　试制的存储芯片按照8Byte逐一划区。各区以Cl原子和空隙来显现像二维条码一样的浓淡图案。可利用该图案显示有无损伤及错误，并实现纠错编码处理。

　　此次据称在该试制芯片中记录了1959年物理学家理查德·费曼(Richard Feynman)在全球首次对原子存储器的容量实施计算的讲座内容。

　　实用化尚无眉目

　　该存储技术实现实用化所面临的最大课题是无法在室温及大气环境中保存数据。“目前必须要设置在无杂质的真空中，并以77K液氮温度来冷却”(代尔夫特理工大学)。

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