华为P9首发麒麟955处理器；南京签约张忠谋亲自出席,到底给了台积

1.华为P9首发麒麟955处理器；

2.南京给台积多少优惠？ 所得税可能5免5减半；

3.台积南京12寸晶圆厂 张忠谋亲赴大陆签约；

4.大陆磁吸半导体人才 台湾失优势？

5.2021年生物识别市场规模逾300亿；

6.先进制程竞赛Intel三星台积电谁领先？

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1.华为P9首发麒麟955处理器；

随着华为P9宣传图和谍照的陆续曝光，人们在获悉相关硬件规格同时，也对该机是否会带来功能上创新而充满了期待。而现在，网络上则传出消息称，华为P9不 仅将搭载麒麟955处理器，而且还将支持升级版的压感触控技术，用户只要通过按压屏幕，手机便能判断压力大小做出不同的操作。而如果消息属实的话，那么无 疑将会使得华为P9更具吸引力。

华为P9支持压感触控

    当前智能手机市场竞争激烈，仅仅依靠硬件升级来吸引用户，或许会显得竞争力不足。为此，华为在去年的Mate S上便率先加入了压感触控技术，用户只要通过按压屏幕，手机便能判断压力大小做出不同的操作。而现在，华为似乎也准备在即将登场的华为P9上引入这项功 能，从而提升手机的市场竞争力，毕竟在当前Android系统手机领域，具备该项功能的机型实属凤毛麟角。

    不仅如此，华为P9此次搭载的压感触控技术还有可能在功能上有所升级，甚至采用的是“指关节压感技术”，也就是在过去指关节触控技术的基础上引入压感触控功能，这样包括放大区域截屏，或是不同力度下的字母手势，都很有可能实现。

确有四个版本

    华为P9还传闻会搭载麒麟955处理器，但到底是高配版专属，还是标准版也会通吃则没有确切的说法。同时根据所谓富士康员工在贴吧上的爆料称，华为P9标 准版和高配版正在量产，而P9 Max则是刚刚开始批量试产，但目前华为P9青春版还没有收到试产的消息。因此，如果消息属实的话，也算得上是证实了华为P9将有四个版本推出的说法。同 时按照这位网友的说法，华为P9目前量产的只有灰色和金色版本，确实采用了双镜头设计，背面则整合了指纹识别模块。

    此外，华为P9量产的金色和灰色版本在工艺上还有拉丝和磨砂质感两种。其中，金色款式为拉丝版的浅金色，而磨砂版则为土豪金；而灰色版也同样是拉丝和磨砂两种，配色为浅灰色，有些灰色泛紫的感觉。目前，该贴已经被删除，所有似乎也增加了爆料的真实性。

华为P9将搭载麒麟955

P9 Lite渲染图曝光

    值得一提的是，在国内被称为青春版的华为P9 Lite现在也有渲染图被曝光，并且按照国外网站VentureBeat的说法，该机的代号为“Venus”，将不会装备P9的莱卡双摄像头同时手机的部 分细节设计和材质选择也有所变化，同样会配备5.2英寸触控屏，至于机身尺寸则为146.8×72.5×7.6mm。

    目前，华为VNS开头以及EVA开头等型号机型已经获得了3C认证和无线电发射型号核准，被认为即将推出的华为P9 Lite和华为P9,并且均会提供全网通版本，但传闻中的华为P9 Max暂时没有相关认证信息出现，不排除会稍晚问世的可能。中关村在线 

2.南京给台积多少优惠？ 所得税可能5免5减半；

大陆官方为了积极发展半导体产业，不断推出各类的优惠政策。台积电至今未透露陆方提供的具体优惠项目，但一般认为，台积电南京厂除了在用地取得上获得优待 外，应该还享有大陆官方对积体电路（IC）产业有最高级别的“五免五减半”（前五年免所得税、后五年所得税减半）减税政策。

大陆官方曾在二○一四年六月廿四日发布“国家集成电路产业发展推进纲要”，除了重申二○一一年发布、对半导体业采取最高租税优惠的国务院“四号文”仍有效外，对符合条件的ＩＣ制造重大技术装备、产品关键零组件及原材料，还将继续实施进口免税政策。

台 积电本次赴大陆设立的南京厂，是生产十六奈米的十二寸晶圆。根据四号文规定，凡生产零点二五微米以下大小的晶圆厂商，其经营期在十五年以上的，自获利年度 起，可享有第一年至第五年免征企业所得税、且第六年至第十年还可按照百分之廿五的法定所得税率，再减半征收的“五免五减半”优惠。

不过，按照旧有的大陆国务院“四号文”规定，这些针对半导体业的优惠，必须在二○一七年十二月卅一日前起算获利年度后，这些优惠才算生效。台积电仍可能有时间上的压力。

图／经济日报提供

3.台积南京12寸晶圆厂 张忠谋亲赴大陆签约；

台积电董事长张忠谋传今天将亲赴大陆，与南京市政府签订台积电在大陆首座十二寸晶圆厂建置及IC设计中心投资案，签约后，第二季中紧锣密鼓建厂。台积电昨以“无法透露董事长行程”为由，不对此正面回应。

台积电南京十二寸厂相关投资案，规划总投资上限卅亿美元（约新台币九百七十五亿元），是台湾历来对大陆最大单一投资案。张忠谋今天若出席签约仪式，是他首度针对台积电大陆投资案，亲自前往大陆签约，透露台积电内部对此案的高度重视。

台积电赶在五二○新旧政府交接前，将此案签约定案，不仅为台积电补足两岸布局最后一块拼图，也开启两岸半导体业发展的新页。

消息人士透露，台积电在南京厂投资案获得投审会放行后，即密集与对岸洽签正式合约，台积电资深副总兼财务长何丽梅率领副总左大川及新厂开发处长庄子寿等七人小组，与南京市政府敲定相关投资及奖励细节后，最后决定今天由张忠谋亲赴南京，在七人小组陪同下，与南京市政府签约。

目前台湾已有联电、力晶等半导体业者前往大陆投资设立十二寸厂，台积电送件与建厂时程虽然不是最快，但将切入现阶段已量产的十六奈米，从今年第二季中紧锣密鼓建厂，二○一八年下半年开始量产，成为大陆最先进的晶圆厂。

无独有偶，大陆官方全力支持的武汉新芯首座自建十二寸记忆体晶圆厂，也于今天正式动土。大陆官方大张旗鼓，全力发展半导体的决心，正吸引全球半导体业的目光，并纷纷卡位。业界则看好台积电将展现后发先至的气势，在大陆半导体晶圆代工市场一展雄风。

台积电南京十二寸厂位于江北新区浦口园区，初期规划月产能为二万片，占台积电现有产能约百分之二点五。台积电并将在南京成立IC设计中心及建立完整的供应链，以便支应大陆十二寸晶圆厂及现有客户，就近拓展大陆市场。经济日报

4.大陆磁吸半导体人才 台湾失优势？

英特尔、三星、台积电等全球半导体业三强陆续前往大陆盖十二寸厂，凸显大陆官方将“大陆产制”列为半导体产业发展政策方针后，全球半导体业向大陆靠拢的趋势更确立。业界忧心，未来大陆形成半导体群聚效应后，将产生人才磁吸效应。

大陆发展半导体产业，已列入国家发展方针，各地竞相争取成为重点发展都市，联电便与厦门市政府合资设立联芯半导体，抢先以参股方式，在大陆兴建首座具台资背景的十二寸厂，切入银联卡及物联网所需晶片代工业务。

力晶集团则与合肥市政府合作，也以参股方式，成立晶合集成国际公司，切入LCD驱动IC代工，未来不排除延伸到其他生技晶片或物联网所需记忆体晶片等产品。

其他积极投入十二寸厂兴建的，还包括武汉新芯、中芯及紫光集团等。武汉新芯自建的首座记忆体厂，在取得赛普拉斯（Cypress）技术合作后，决定朝自主开发储存型快闪记忆体（NAND Flash ）及DRAM，并自称未来月产能将达廿万片以上。

图／联合报提供

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紫光和中芯则被大陆国家政策列入逻辑晶片和记忆体晶片两大重点扶持对象，近来宣示扩大建厂动作频频。

业界人士认为，大陆确实有发展自主半导体产业的本钱，不过关键技术仍掌握在外资手中，大陆得快速找到技术合作夥伴，才能加快发展脚步，台积电采独资方式前往设厂，也是担心技术外流，壮大对岸。

半 导体业者表示，台积电的南京十二寸厂因采独资进行，可放心直接切入最先进的十六奈米制程，二○一八年量产时，台积电先进制程已推进到七奈米量产。因此台湾 不需要担心台积电在大陆投资会带来负面影响，反而应加速营造人才愿意留在台湾的环境，否则一旦人才向大陆靠拢，台湾半导体优势也会逐步流失。

图／联合报提供

5.2021年生物识别市场规模逾300亿；

根据市场研究公司ABI Research预计，全球生物辨识技术与应用将在2021年达到超过300亿美元的市场规模，较2015年约137亿美元大幅成长118%。

这 一市场动能主要来自消费性电子产品的需求，尤其是智慧型手机内建的嵌入式指纹感测器，预计将在2015年至2021年间持续40%的复合年成长率 (CAGR)成长，并在2021年以前达到20亿颗的出货量。这相当于在2015年约2.66亿颗以及2016年约有3.72亿颗的出货量。

“消 费者越来越信赖基于生物辨识的认证途径，以及多方面寻求安全性、便利性与个人化，”ABI Research研究分析师Dimitrios Pavlakis表示。“安全监控也已经蓄势待发，我们预计在2021以前还会看到在3台出货的监控摄影机中至少就有1台是IP网路摄影机。无疑地，这将 为脸部生物辨识与安全监控分析开启新的发展路径。”

ABI Research的市场资料显示，虽然北美和亚太地区继续占据大部份的生物辨识市场份额，但拉丁美洲与中东预计也将受惠于新的生物辨识建置，主要是银行与个人金融服务，以及政府与安全部门等应用。

发生在中东与欧洲的紧张局势以及亟需解决的身份议题，也将大幅提高对于生物辨识技术的需求；同时，进一步刺激各国政府推动对于资料管理与交流计划的新法规与立法。

“企业将更加积极地采用这些新的生物辨识外观与技术，”Pavlakis指出，“这些技术包括USB连接装置、消费电子产品与支付卡内建的嵌入式感测器、 4指辨识、虹膜以及智慧型手机的脸部辨识；以及ATM的静脉辨识等。”

诸 如万事达(Mastercard)等全球支付巨擘以多模技术与加重脸部辨识主导了这一发展路径。同时，包括金雅拓(Gemalto)、意法半导体 (STMicroelectronics)、FPC与Precise Biometrics等业界主导厂商，还成立了端对端生物辨识架构的发展联盟。此外，赛峰集团Morpho则与Airtel合作，为印度唯一身分辨识管理 局(Unique Identification Authority of India；UIDAI)的计划下提高

在印度的UIDAI计划下提高用户机动性。

编译：Susan Hong

(参考原文：Biometrics Market To Double Over 6 Years，by Peter Clarke)eettaiwan

6.先进制程竞赛Intel三星台积电谁领先？

究竟谁握有最佳的半导体制程技术？业界分析师们的看法莫衷一是。但有鉴于主题本身的复杂度以及晶片制造商本身传递的讯息不明确，就不难解为什么分析师的看法如此分歧了。

市 场研究机构Linley Group首席分析师Linley Gwennap表示，英特尔(Intel)将在10nm制程优于台积电(TSMC)与三星(Samsung)，就像在14nm时一样。VLSI Research执行长G. Dan Hutcheson认为，台积电即将量产的10nm制程将大幅超越英特尔的14nm节点，而且台积电正以较英特尔更快的速度超前进展。此 外，International Business Strategies (IBS)创办人兼执行长Handel Jones则指出，英特尔与台积电的10nm制程技术性能旗鼓相当。

但各方均同意，有多种变数决定了元件如何制造，对于不同类型晶片的影响也各不相同。分析师们也把责任归咎于行销部门，认为他们经常是让情况变得更加模糊，而非厘清现实。

“事实上，没有一种衡量方式能够决定一项技术的性能、功耗与电晶体密度，”Jones说，“金属层M1间距十分重要，但局部互连也会影响到布线的闸极密度与性能；闸极间距对于闸极密度相当重要，但鳍片高度也明显影响性能。”

“互连延迟正成为重大的挑战，尤其是在10nm时有80%的性能都取决于互连延迟的影响，”他补充说。

从Linley Group的衡量指标来看，英特尔比台积电和三星更具优势

（来源：Linley Group）

FinFET的高度与线宽可作为衡量技术节点与晶片制造商实力的良好指标。Hutcheson认同这一观点，他并表示，SRAM的单元尺寸也值得考虑。

但是，“我认为技术进展的终极衡量标准在于随着每一技术节点倍增密度的能力，”Hutcheson说，“英特尔至今在每一节点都是这么做的。”

也就是说，台积电在10nm达到的M1金属层间距已“完整微缩(?70%)，领先英特尔的14nm，”Hutcheson强调，英特尔持续14nm节点已经2年了。

随着近期披露10nm与7nm计划，“台积电不仅证明拥有扳回胜局的魔力，同时还踩着比任何人更快的进展步调，”他补充说。

同时，尽管在今年1月，一些业界还不那么看好其16/14 nm节点，但台积电目前的16nm节点“在相同的时间架构下，已经在营收与良率方面双双超越了28nm，”他强调。

节点性能与名称无关？

Gwennap表示，技术节点的传统衡量标准是电晶体尺寸，亦即所测得的最小闸极长度。然而，归功于市场行销的努力，如今的节点名称不再与闸极测量结果吻合了，“但其差距也不算太大英特尔14nm制程的闸极长度约相当于三星(Samsung)的20nm。”

不过，Gwennap说，台积电和三星目前“在速度与密度方面都远落后英特尔的14nm制程，”以此来看，他认为三星的节点更适合称为17nm，台积电则为19nm。“预计在10nm时的情况类似...三星与台积电将在速度与密度方面落后英特尔约半节点。”

然 而，光是最小闸极长度并不足以决定一切，Chipworks资深研究员兼技术分析师Andy Wei表示，“定调一项技术是否最优高度取决于与面积微缩有关的制程成本。可归结为比较布线单元级的技术能力，以及达到该密度所需的成 本，Chipworks正是以此作为基准”。

Linley Group认为，三星可望最先推出10nm制程，但英特尔的表现会更优

（来源：Linley Group）

自从德州仪器(TI)为了如何衡量闸极长度而战，制程节点的命名之争已经延续25年了。Hutcheson说，TI采用有效闸极长度，而矽谷晶片制造商则以更大的闸极长度作为指标。

在1990年代，当线宽微缩至奈米级时，“新的论据认为闸极长度不再适用，因为蚀刻削薄而使M1金属级间距成为更适合的标准不过当时却仍由闸极长度决定性能。”

其 后，台积电宣称其40nm制程比英特尔使用的45nm节点更好，但除了“更好”似乎也没提出任何指标，Hutcheson指出，“从那时起，就一直有点像 是各说话一样。例如，Globalfoundries的32nm和28nm之间真正的差异是32nm是SOI制程，28nm则是bulk制程。”

台 积电已经明确表示其16nm制程采用20nm的后段制程技术FinFET电晶体层叠于顶部。在最近于圣荷西举行的会议，台积电表示，其7nm节点将会 较其10nm制程密度更高1.63倍，Chipworks的Wei说，“这表示2种尺寸微缩0.7倍的性能提高还不到2倍，而节点名称则微缩至0.7 倍。”

“市场行销元素强烈影响节点的命名，着眼于顶部层级，但设计工程师知道他们所选择的技术优点，”Jones表示。毕竟，“只要制程技术快速、低功耗且低成本，那么怎么称呼都不重要。”

编译：Susan Hong

(参考原文：Silicon Lacks Clear Metrics，by Rick Merritt)eettaiwan

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