您现在的位置: 主页 > 设计创意 > 创意参考 > Fairchild大幅降低IGBT损耗 助力工业和汽车应用中效率的提升-EMB
本文所属标签:
为本文创立个标签吧:

Fairchild大幅降低IGBT损耗 助力工业和汽车应用中效率的提升-EMB

来源: 网络用户发布,如有版权联系网管删除 2018-10-12 

>  Fairchild大幅降低其第四代650V和1200V IGBT损耗,降幅达30%。Fairchild采用工业和汽车市场中专为高/中速开关应用设计的新方案,提供了行业领先的性能水平,同时具有极强的闩锁效应,确保了优异牢固性和可靠性。Fairchild将在2015 亚洲PCIM中演示各种应用的测试结果和方案。

  高级IHS分析师Victoria Fodale说道:“制造商对于更先进技术的IGBT非常感兴趣,因为哪怕是IGBT开关损耗的微小下降也可帮助制造商提高产品效率。最大限度降低功率损耗必然是各种应用领域达到最高效率的关键因素,包括电动汽车、太阳能系统、高效HVAC应用以及工业变频器。”



              查看评论 回复



嵌入式交流网主页 > 设计创意 > 创意参考 > Fairchild大幅降低IGBT损耗 助力工业和汽车应用中效率的提升-EMB
 

"Fairchild大幅降低IGBT损耗 助力工业和汽车应用中效率的提升-EMB"的相关文章

网站地图

围观()