安森美推出8款新的中等功率MOSFET器件 - 模拟电源 -
森美半导体(ON Semiconductor)推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA)，安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全裕量，免应用受未预料的电压瞬态影响。
这些新的60伏(V)器件均是单N沟道MOSFET，提供较低的导通阻抗(RDS(on))，将功率耗散降到最低。这些器件更提供低门电荷和低门电荷比，降低传导和开关损耗。所有这些性能特性，使电源子系统能效更高。
安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“这些新的中等电压器件，壮大了安森美半导体优异的、配合市场需要的功率MOSFET阵容。我们计划持续推出针对市场应用的MOSFET解决方案，满足我们消费和工业应用的扩大客户需求，强化安森美半导体高能效电源开关解决方案供应商的业界领先地位。”
器件
这些器件提供宽的规范点范围，让设计人员能够灵活地选择采用DPAK、D2PAK和TO-220封装的最优导通阻抗(RDS(on))和门电荷组合。
|
|
|
VDS (V) |
ID (A) |
Rdson (mΩ) @ 10 V |
Qg (typ) (nc) |
EAS (mJ) |
|
NTB5411N |
D2PAK |
60 |
75 |
8.5 |
92 |
336 |
|
NTP5411N |
TO-220 |
60 |
75 |
8.5 |
92 |
336 |
|
NTB5412N |
D2PAK |
60 |
60 |
14 |
62 |
211 |
|
NTP5412N |
TO-220 |
60 |
60 |
14 |
62 |
211 |
|
NTB5426N |
D2PAK |
60 |
120 |
5 |
170 |
1000 |
|
NTP5426N |
TO-220 |
60 |
120 |
5 |
170 |
1000 |
|
NTD5413N |
DPAK |
60 |
45 |
21 |
33 |
101 |
|
NTD5414N |
DPAK |
60 |
20 |
37.5 |
21.2 |
57.8 |
RoHS指令要求，并采用无铅封装。
查看评论 回复
