ST第一批采用SO8尺寸的STripFET封装的IC -

意法半导体推出了该公司第一批采用顶置金属片的PolarPAK 封装的功率IC，这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的功率密度。新的STK800和STK850分别是20A和30A的功率场效应MOS晶体管，占板面积与SO-8封装相同，仅为5mm x 6mm。因为顶部和底部都有散热通道，所以封装的高度更低，只有0.8mm高。

新封装的引线框架和塑料封装与大多数标准功率场效应MOS晶体管使用的封装相似，具有优良的裸片保护功能，在制造过程中拾放芯片十分容易。然而与标准的SO-8封装相比，PolarPAK的散热效率更加出色，在相同的占板面积下，比SO-8封装处理的电流高一倍。

新器件采用ST最新优化的STripFET制造技术，在更小的芯片面积上取得了更低的通态电阻和功耗，这项技术是以大幅度提高单元密度和降低单元线宽为基础的。在10V时，20A STK800的典型RDS(on) 是6.0毫欧，30A STK850是2.9毫欧。结到外壳热阻极低和结温较低的特性是降低两款MOSFET的通态电阻的主要因素。

电容低和栅电荷总量低使STK800成为非隔离型直流-直流降压转换器的控制FET的理想选择，同时极低的RDS(on)电阻使STK850成为一个优秀的同步FET解决方案。较低的工作温度有助于提高能效和使用寿命的可靠性。新的封装加强了裸片保护，提高了制造过程中芯片拾放的便利性，并兼容现有的SMD组装设备。新器件的多个货源确保客户采购的灵活性。

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